电流脉冲碳化硅

对4H碳化硅探测器输出信号放大的电流脉冲型前端电路及放大

2023年8月7日  本发明公开了一种对4H‑碳化硅探测器输出信号放大的电流脉冲型前端电路及放大方法，该电流脉冲型前端电路包括第一级跨阻抗放大电路、第二级低通滤波器、第三级同相比例放大电路以及第四级反相比例放大电路，4H‑碳化硅探测器将中子信号转换为

SiC 功率器件・模块 应用笔记 Rohm

2020年10月23日  流过电流检测电阻RSENSE 的电流,是流过漏极 源极之间电流的例如1000分之一,是按照晶胞数量成比例地缩小的,因此即使对于大电流也可以抑制电流检测电路产生的功率损耗。

碳化硅功率模块及电控的设计、测试与系统评估 ROHM

2021年1月7日  碳化硅功率半导体近年来在能源转换应用中正在成为一个热门的话题：由于材料属性，使得它具有比硅基半导体器件更高的最大结温、更小的损耗，以及更小的材料热阻系数等。 因此，很多人宣称，当碳化硅功率器件应用于能源转换后，变频器系统将有更高的功率密度、更小的体积、更高的允许工作温度，以及更低的损耗，从而给应用系统带来

SiC MOSFET 的动态表征和测量方法 Wolfspeed

2021年10月22日  碳化硅 (SiC) 技术为电源、电动汽车和在家充电、大功率工业设备、太阳能应用和数据中心等多个行业显著提高了功率传输和管理性能。 由于SiC更高的额定电压、更低的系统运行温度、具备更高的电流处理能力以及更出色的恢复特性，能为多种应用将效率及功率密度最大化，同时尽可能降低成本；然而，若想要充分利用 SiC 技术的优势，将此

碳化硅功率肖特基二极管的特性 如何提供更强大的应用功能

2023年7月25日  碳化硅是一种半导体材料,相较于平常使用的掺杂硅,它能在高很多的温度下维持它的有用特性。 使用碳化硅来建构肖特基二极管能够使它们在更高的温度下工作,高达175°C的接面温度,且允许使用更小的散热器设计,因此可以简化热管理。 同样地,采用碳化硅电能半导体所设计出来的电源系统可以在高出 50°C 的环境温度下运作,这比使用结点最高

高效测量碳化硅(SiC) 电源系统中的信号 Tek

2022年3月30日  SiC正被应用到功率更高、电压更高的设计中，比如 电动汽车(EV)中的马达驱动器、电动汽车快速充电桩、 车载和非车载充电器、风能和太阳能逆电器和工控电 源。 作为技术成熟的标志，JEDEC标准JC702中已经 编制了SiC技术在电源转换设计中的实现文档，规定 了SiC功率电子转换半导体标准和测试方法。 技术成熟的另一个标志，是许多SiC

SiC FET的脉冲电流能力量化 Power Systems Design 中国

2023年11月22日  SiC FET的脉冲电流能力量化 日期： 宽带隙半导体具有承受高脉冲电流的能力，这在固态断路器等应用中尤其有用作者：Qorvo功率器件高级工程经理Pete Losee 宽带隙（WBG）器件，尤其是SiC FET、碳化硅JFET的级联和共封装硅MOSFET，正在引领降低半导体开关功率损耗的竞赛。 这种安排产生了一个常关器件，

对4H碳化硅探测器输出信号放大的电流脉冲型前端电路及放大

对4H碳化硅探测器输出信号放大的电流脉冲型前端电路及放大方法 专利文件 法律状态 同族专利 引用专利 及时发现和跟踪 新技术/产品/应用 新竞争 加载中 查看更多 著录项

用于碳化硅功率模块集成的基于 LTCC 的电流传感器

2021年10月19日  电流传感器集成为功率模块的功率密度和可靠性提供了许多好处。 然而，现有的电流传感器不适合集成在碳化硅功率模块中。 本文提出了一种基于低温共烧陶瓷 (LTCC) 的低剖面电流传感器，具有即用型结构。 对所提出的电流传感器的电流容量、带宽

碳化硅探测器的最大线性电流研究

摘要: 本文研究了电流型碳化硅探测器的最大线性电流特性，给出了最大线性电流计算方法，分析了辐射类型、灵敏区面积、灵敏区厚度和耗尽区电场强度对最大线性电流的影响，利用强脉冲X射线加速器和紫外激光源实验研究了碳化硅探测器的最大线性电流特性

对4H碳化硅探测器输出信号放大的电流脉冲型前端电路及放大

2023年8月7日  本发明公开了一种对4H‑碳化硅探测器输出信号放大的电流脉冲型前端电路及放大方法，该电流脉冲型前端电路包括第一级跨阻抗放大电路、第二级低通滤波器、第三级同相比例放大电路以及第四级反相比例放大电路，4H‑碳化硅探测器将中子信号转换为

SiC 功率器件・模块 应用笔记 Rohm

2020年10月23日  流过电流检测电阻RSENSE 的电流,是流过漏极 源极之间电流的例如1000分之一,是按照晶胞数量成比例地缩小的,因此即使对于大电流也可以抑制电流检测电路产生的功率损耗。

碳化硅功率模块及电控的设计、测试与系统评估 ROHM

2021年1月7日  碳化硅功率半导体近年来在能源转换应用中正在成为一个热门的话题：由于材料属性，使得它具有比硅基半导体器件更高的最大结温、更小的损耗，以及更小的材料热阻系数等。 因此，很多人宣称，当碳化硅功率器件应用于能源转换后，变频器系统将有更高的功率密度、更小的体积、更高的允许工作温度，以及更低的损耗，从而给应用系统带来

SiC MOSFET 的动态表征和测量方法 Wolfspeed

2021年10月22日  碳化硅 (SiC) 技术为电源、电动汽车和在家充电、大功率工业设备、太阳能应用和数据中心等多个行业显著提高了功率传输和管理性能。 由于SiC更高的额定电压、更低的系统运行温度、具备更高的电流处理能力以及更出色的恢复特性，能为多种应用将效率及功率密度最大化，同时尽可能降低成本；然而，若想要充分利用 SiC 技术的优势，将此

碳化硅功率肖特基二极管的特性 如何提供更强大的应用功能

2023年7月25日  碳化硅是一种半导体材料,相较于平常使用的掺杂硅,它能在高很多的温度下维持它的有用特性。 使用碳化硅来建构肖特基二极管能够使它们在更高的温度下工作,高达175°C的接面温度,且允许使用更小的散热器设计,因此可以简化热管理。 同样地,采用碳化硅电能半导体所设计出来的电源系统可以在高出 50°C 的环境温度下运作,这比使用结点最高

高效测量碳化硅(SiC) 电源系统中的信号 Tek

2022年3月30日  SiC正被应用到功率更高、电压更高的设计中，比如 电动汽车(EV)中的马达驱动器、电动汽车快速充电桩、 车载和非车载充电器、风能和太阳能逆电器和工控电 源。 作为技术成熟的标志，JEDEC标准JC702中已经 编制了SiC技术在电源转换设计中的实现文档，规定 了SiC功率电子转换半导体标准和测试方法。 技术成熟的另一个标志，是许多SiC

SiC FET的脉冲电流能力量化 Power Systems Design 中国

2023年11月22日  SiC FET的脉冲电流能力量化 日期： 宽带隙半导体具有承受高脉冲电流的能力，这在固态断路器等应用中尤其有用作者：Qorvo功率器件高级工程经理Pete Losee 宽带隙（WBG）器件，尤其是SiC FET、碳化硅JFET的级联和共封装硅MOSFET，正在引领降低半导体开关功率损耗的竞赛。 这种安排产生了一个常关器件，

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2021年10月19日  电流传感器集成为功率模块的功率密度和可靠性提供了许多好处。 然而，现有的电流传感器不适合集成在碳化硅功率模块中。 本文提出了一种基于低温共烧陶瓷 (LTCC) 的低剖面电流传感器，具有即用型结构。 对所提出的电流传感器的电流容量、带宽

碳化硅探测器的最大线性电流研究

摘要: 本文研究了电流型碳化硅探测器的最大线性电流特性，给出了最大线性电流计算方法，分析了辐射类型、灵敏区面积、灵敏区厚度和耗尽区电场强度对最大线性电流的影响，利用强脉冲X射线加速器和紫外激光源实验研究了碳化硅探测器的最大线性电流特性

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2021年1月7日  碳化硅功率半导体近年来在能源转换应用中正在成为一个热门的话题：由于材料属性，使得它具有比硅基半导体器件更高的最大结温、更小的损耗，以及更小的材料热阻系数等。 因此，很多人宣称，当碳化硅功率器件应用于能源转换后，变频器系统将有更高的功率密度、更小的体积、更高的允许工作温度，以及更低的损耗，从而给应用系统带来

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碳化硅探测器的最大线性电流研究

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碳化硅功率肖特基二极管的特性 如何提供更强大的应用功能

2023年7月25日  碳化硅是一种半导体材料,相较于平常使用的掺杂硅,它能在高很多的温度下维持它的有用特性。 使用碳化硅来建构肖特基二极管能够使它们在更高的温度下工作,高达175°C的接面温度,且允许使用更小的散热器设计,因此可以简化热管理。 同样地,采用碳化硅电能半导体所设计出来的电源系统可以在高出 50°C 的环境温度下运作,这比使用结点最高

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2021年10月19日  电流传感器集成为功率模块的功率密度和可靠性提供了许多好处。 然而，现有的电流传感器不适合集成在碳化硅功率模块中。 本文提出了一种基于低温共烧陶瓷 (LTCC) 的低剖面电流传感器，具有即用型结构。 对所提出的电流传感器的电流容量、带宽

碳化硅探测器的最大线性电流研究

摘要: 本文研究了电流型碳化硅探测器的最大线性电流特性，给出了最大线性电流计算方法，分析了辐射类型、灵敏区面积、灵敏区厚度和耗尽区电场强度对最大线性电流的影响，利用强脉冲X射线加速器和紫外激光源实验研究了碳化硅探测器的最大线性电流特性

对4H碳化硅探测器输出信号放大的电流脉冲型前端电路及放大

2023年8月7日  本发明公开了一种对4H‑碳化硅探测器输出信号放大的电流脉冲型前端电路及放大方法，该电流脉冲型前端电路包括第一级跨阻抗放大电路、第二级低通滤波器、第三级同相比例放大电路以及第四级反相比例放大电路，4H‑碳化硅探测器将中子信号转换为

SiC 功率器件・模块 应用笔记 Rohm

2020年10月23日  流过电流检测电阻RSENSE 的电流,是流过漏极 源极之间电流的例如1000分之一,是按照晶胞数量成比例地缩小的,因此即使对于大电流也可以抑制电流检测电路产生的功率损耗。

碳化硅功率模块及电控的设计、测试与系统评估 ROHM

2021年1月7日  碳化硅功率半导体近年来在能源转换应用中正在成为一个热门的话题：由于材料属性，使得它具有比硅基半导体器件更高的最大结温、更小的损耗，以及更小的材料热阻系数等。 因此，很多人宣称，当碳化硅功率器件应用于能源转换后，变频器系统将有更高的功率密度、更小的体积、更高的允许工作温度，以及更低的损耗，从而给应用系统带来

SiC MOSFET 的动态表征和测量方法 Wolfspeed

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碳化硅功率肖特基二极管的特性 如何提供更强大的应用功能

2023年7月25日  碳化硅是一种半导体材料,相较于平常使用的掺杂硅,它能在高很多的温度下维持它的有用特性。 使用碳化硅来建构肖特基二极管能够使它们在更高的温度下工作,高达175°C的接面温度,且允许使用更小的散热器设计,因此可以简化热管理。 同样地,采用碳化硅电能半导体所设计出来的电源系统可以在高出 50°C 的环境温度下运作,这比使用结点最高

高效测量碳化硅(SiC) 电源系统中的信号 Tek

2022年3月30日  SiC正被应用到功率更高、电压更高的设计中，比如 电动汽车(EV)中的马达驱动器、电动汽车快速充电桩、 车载和非车载充电器、风能和太阳能逆电器和工控电 源。 作为技术成熟的标志，JEDEC标准JC702中已经 编制了SiC技术在电源转换设计中的实现文档，规定 了SiC功率电子转换半导体标准和测试方法。 技术成熟的另一个标志，是许多SiC

SiC FET的脉冲电流能力量化 Power Systems Design 中国

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2021年10月19日  电流传感器集成为功率模块的功率密度和可靠性提供了许多好处。 然而，现有的电流传感器不适合集成在碳化硅功率模块中。 本文提出了一种基于低温共烧陶瓷 (LTCC) 的低剖面电流传感器，具有即用型结构。 对所提出的电流传感器的电流容量、带宽

碳化硅探测器的最大线性电流研究

摘要: 本文研究了电流型碳化硅探测器的最大线性电流特性，给出了最大线性电流计算方法，分析了辐射类型、灵敏区面积、灵敏区厚度和耗尽区电场强度对最大线性电流的影响，利用强脉冲X射线加速器和紫外激光源实验研究了碳化硅探测器的最大线性电流特性